Рост туннельной щели с увеличением концентрации электронов в двойной квантовой яме n—lnxGa1-xAs/GaAs

Рост туннельной щели с увеличением концентрации электронов в двойной квантовой яме n—lnxGa1-xAs/GaAs / А. С. Клепикова и др. // IX Молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества : тез. докл., Екатеринбург, 17-23 ноября 2008 г. / РАН, УрО, Ин-т физики металлов [и др.]. - Екатеринбург, 2008. - С. 159-160.

Год: 

2008

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Технология металлов. Машиностроение. Приборостроение, Физика

Вид издания: 

  • тезисы


h1