Лончаков Александр Трофимович

Коллекции:
Нет

h1

Библиография

Библиография

ФИЛЬТРЫ:

Публичные страницы Название Описание Вид издания Год Роли
Новый эффект - ослабление рассеяния фононов пространственно- коррелированной системой ионов железа со смешанной валентностью Кулеев И. Г. Новый эффект - ослабление рассеяния фононов пространственно- коррелированной системой ионов железа со смешанной валентностью / И. Г. Кулеев, А. Т. Лончаков, И. Ю. Арапова // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН по итогам 1999 года, 7-11 февраля 2000 г. : тезисы докладов. - Екатеринбург, 2000. - С. 58-59. тезисы 2000 Автор
Поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена в кристаллах HgSe:Fe в классических магнитных полях Лончаков А. Т. Поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена в кристаллах HgSe:Fe в классических магнитных полях / А. Т. Лончаков, М. В. Вострецова // II Выездной молодежный семинар "Проблемы физики конденсированного состояния вещества", 2-5 декабря 2001 г., Екатеринбург. - Екатеринбург, 2001. - С. 26. тезисы 2001 Автор
Ангармонические моды деформационных точек в полупроводниках А2В6, легированных никелем Ангармонические моды деформационных точек в полупроводниках А2В6, легированных никелем / A. T. Лончаков, Н. Б. Груздев, Е. А. Широков, В. И. Соколов // Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур : XIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-22 февраля 2002 г., Екатеринбург. - Екатеринбург, 2002. - С. Р1. тезисы 2002 Автор
Влияние области поверхностного заряда на гальваномагнитные свойства многослойных гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix Влияние области поверхностного заряда на гальваномагнитные свойства многослойных гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix / Ю. Г. Арапов, Г. А. Альшанский, О. А. Кузнецов [и др.] // Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур : XIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-22 февраля 2002 г., Екатеринбург. - Екатеринбург, 2002. - С. Р3. тезисы 2002 Автор
Исследование низкотемпературных электронных свойств Si-Si1-xGex гетероструктур электрическими и электрофизическими методами Исследование низкотемпературных электронных свойств Si-Si1-xGex гетероструктур электрическими и электрофизическими методами / Л. К. Орлов, А. В. Потапов, Н. Л. Ивина [и др.] // 33-е Всероссийское совещание по физике низких температур : тезисы докладов cекций S и N: «Сверхпроводимость» и «Наноструктуры и Низкоразмерные Системы», Екатеринбург, 17-20 июня 2003 г. - Екатеринбург, 2003. - С. 304-305. тезисы 2003 Автор
Структурный фазовый переход в ZnSe:Ni в области низких температур Структурный фазовый переход в ZnSe:Ni в области низких температур / B. И. Соколов, А. В. Лукоянов, И. А. Некрасов [и др.] // 33-е Всероссийское совещание по физике низких температур : тезисы докладов cекций S и N: «Сверхпроводимость» и «Наноструктуры и Низкоразмерные Системы», Екатеринбург, 17-20 июня 2003 г. - Екатеринбург, 2003. - С. 278-279. тезисы 2003 Автор
Температурные аномалии поглощения и скорости ультразвука в кристаллах ZnSe:Ni Температурные аномалии поглощения и скорости ультразвука в кристаллах ZnSe:Ni / Н. Б. Груздев, В. В. Гудков, И. В. Жевстовских [и др.] // 33-е Всероссийское совещание по физике низких температур : тезисы докладов cекций S и N: «Сверхпроводимость» и «Наноструктуры и Низкоразмерные Системы», Екатеринбург, 17-20 июня 2003 г. - Екатеринбург, 2003. - С. 291-292. тезисы 2003 Автор
Эффекты слабой локализации и элекрон-элекронного взаимодействия в гетероструктурах Ge/Ge1-xSix р-типа Эффекты слабой локализации и элекрон-элекронного взаимодействия в гетероструктурах Ge/Ge1-xSix р-типа / Ю. Г. Арапов, А. Т. Лончаков, В. Н. Неверов [и др.] // 33-е Всероссийское совещание по физике низких температур : тезисы докладов cекций S и N: «Сверхпроводимость» и «Наноструктуры и Низкоразмерные Системы», Екатеринбург, 17-20 июня 2003 г. - Екатеринбург, 2003. - С. 328-329. тезисы 2003 Автор
Низкотемпературные аномалии фононной теплопроводности полупроводников АIIBVI, легированных примесями переходных 3-d элементов Лончаков А. Т. Низкотемпературные аномалии фононной теплопроводности полупроводников АIIBVI, легированных примесями переходных 3-d элементов / А. Т. Лончаков, В. И. Соколов, Н. Б. Груздев // XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников : программа и тезисы докладов, 16-21 февраля 2004 г., Екатеринбург-Кыштым = XV Ural International Winter School on the Physics of Semiconductors. - Екатеринбург, 2004. - С. 113-114. тезисы 2004 Автор
Особенности 2d-термоэдс увлечения и магнитосопротивления в гетероструктурах p-Ge/GeSi на металлической стороне перехода металл-диэлектрик Особенности 2d-термоэдс увлечения и магнитосопротивления в гетероструктурах p-Ge/GeSi на металлической стороне перехода металл-диэлектрик / Ю. Г. Арапов, А. Т. Лончаков, О. А. Кузнецов [и др.] // XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников : программа и тезисы докладов, 16-21 февраля 2004 г., Екатеринбург-Кыштым = XV Ural International Winter School on the Physics of Semiconductors. - Екатеринбург, 2004. - С. 81-82. тезисы 2004 Автор

Страницы
Строки с 1 по 10 из 38