Влияние области поверхностного заряда на гальваномагнитные свойства многослойных гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix

Влияние области поверхностного заряда на гальваномагнитные свойства многослойных гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix / Ю. Г. Арапов, Г. А. Альшанский, О. А. Кузнецов [и др.] // Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур : XIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-22 февраля 2002 г., Екатеринбург. - Екатеринбург, 2002. - С. Р3.

Документ доступен в ЦНБ УрО РАН: 

Нет

Год: 

2002

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Физика

Вид издания: 

  • тезисы


h1