Влияние области поверхностного заряда на гальваномагнитные свойства многослойных гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix / Ю. Г. Арапов, Г. А. Альшанский, О. А. Кузнецов [и др.] // Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур : XIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-22 февраля 2002 г., Екатеринбург. - Екатеринбург, 2002. - С. Р3.
Документ доступен в ЦНБ УрО РАН:
Нет
Год:
2002
Связанные персоналии:
Нет
Рубрики:
- Физика
Вид издания:
- тезисы