Валеев Ришат Галеевич


h1

Библиография

Библиография

ФИЛЬТРЫ:

Публичные страницы Название Описание Вид издания Год Роли
EXAFS Studies of the Local Atomic Structure of Crystalline and Nanocrystalline GaAs EXAFS Studies of the Local Atomic Structure of Crystalline and Nanocrystalline GaAs / A. N. Deev, R. G. Valeev, Yu. A. Babanov, Yu. V. Ruts // 3rd Russian-German Seminar on Electron and X-ray Spectroscopy, September 15-19, 1999, Yekaterinburg, Russia : Program and Abstracts. - Yekaterinburg, 1999. - P. 23. тезисы 1999 Автор
Локальная атомная структура пленок ZnSe: исследования методом EXAFS-спектроскопии Пивоварова О. И. Локальная атомная структура пленок ZnSe: исследования методом EXAFS-спектроскопии / О. И. Пивоварова, В. Р. Галеевич, А. Н. Деев // Тринадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых : материалы конференции : информационный бюллетень, г. Ростов-на-Дону, Таганрог, 20-26 апреля 2007 г. - Ростов-на-Дону ; Таганрог ; Екатеринбург : Изд-во АСФ России, 2007. - Т. 1. - С. 130-131. тезисы 2007 Автор
Исследование атомной и локальной структуры нитевидных наноструктур на основе селенида цинка Исследование атомной и локальной структуры нитевидных наноструктур на основе селенида цинка / Р. Г. Валеев и др. // Порядок, беспорядок и свойства оксидов (ODPO-2009). = Order, Disorder and Properties of Oxides : 12-й Междунар. симпозиум, 17-22 сент. 2009 г. - Ростов н/Д, 2009. - Ч. 2. - С. 257. статья из сборника трудов конференции 2009 Автор
Синтез полупроводниковых наноструктур Ge методом термического испарения материала на матрицы пористого Al2O3 Синтез полупроводниковых наноструктур Ge методом термического испарения материала на матрицы пористого Al2O3 / Р. Г. Валеев и др. // Третья всероссийская конференция по наноматериалам (НАНО 2009), Екатеринбург, 20-24 апреля 2009 г. : тез. докл. / РАН, УрО, Ин-т физики металлов [и др.]. - Екатеринбург, 2009. - С. 741. тезисы 2009 Автор
Перспективные материалы и технологии: методы, теория, эксперимент : материалы научных исследований Перспективные материалы и технологии: методы, теория, эксперимент : материалы научных исследований / РАН, УрО, Физико-техн. ин-т ; [ред.-сост. Р. Г. Валеев ; под общ. ред. В. И. Ладьянова]. - Ижевск, 2012. - 236 с. сборник статей 2012 Ответственный редактор
Электрофизические свойства пленок Ge/ZnSSe/Ge и нитевидных гетероструктур на их основе в матрицах пористого Al2O3 Валеев Р. Г. Электрофизические свойства пленок Ge/ZnSSe/Ge и нитевидных гетероструктур на их основе в матрицах пористого Al2O3 / Р. Г. Валеев // Фундаментальные основы технологий наноструктур и наноматериалов. Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 24. I.I. Физика и технология наноструктур. I.II. Наноэлектроника : результаты, полученные в 2012 году. - Москва, 2012. - C. 238-239. отчет 2012 Автор
Фотолюминесценция арсенида галлия, внедренного в пористые матрицы анодного оксида алюминия методом термического напыления Фотолюминесценция арсенида галлия, внедренного в пористые матрицы анодного оксида алюминия методом термического напыления / Р. Г. Валеев и др. // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников : программа и тезисы докладов, 17 февраля - 22 февраля 2014 г., Екатеринбург - Новоуральск / РАН, УрО, Ин-т физики металлов [и др.]. - Екатеринбург, 2014. - С. 224-225. тезисы 2014 Автор
Строки с 1 по 7 из 7