Синтез полупроводниковых наноструктур Ge методом термического испарения материала на матрицы пористого Al2O3

Синтез полупроводниковых наноструктур Ge методом термического испарения материала на матрицы пористого Al2O3 / Р. Г. Валеев и др. // Третья всероссийская конференция по наноматериалам (НАНО 2009), Екатеринбург, 20-24 апреля 2009 г. : тез. докл. / РАН, УрО, Ин-т физики металлов [и др.]. - Екатеринбург, 2009. - С. 741.

Год: 

2009

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Техника. Технические науки, Технология металлов. Машиностроение. Приборостроение, Физика

Вид издания: 

  • тезисы


h1