Валеев Р. Г. Электрофизические свойства пленок Ge/ZnSSe/Ge и нитевидных гетероструктур на их основе в матрицах пористого Al2O3 / Р. Г. Валеев // Фундаментальные основы технологий наноструктур и наноматериалов. Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 24. I.I. Физика и технология наноструктур. I.II. Наноэлектроника : результаты, полученные в 2012 году. - Москва, 2012. - C. 238-239.
Год:
2012
Связанные персоналии:
Нет
Рубрики:
- Техника. Технические науки, Физика
Вид издания:
- отчет