Электропроводность и диэлектрическая проницаемость Cu1-xAgxGeAsSe3 (х = 0.7, 0.75)

Турутина Е. А. Электропроводность и диэлектрическая проницаемость Cu1-xAgxGeAsSe3 (х = 0.7, 0.75) / Е. А. Турутина, О. Л. Хейфец // XI Всероссийская молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества. Памяти академика Литвинова Б. В. : тез. докл., 15-21 ноября 2010 г. / РАН, УрО, Ин-т физики металлов, Ин-т теплофизики. - Екатеринбург, 2010. - С. 85.

Документ доступен в ЦНБ УрО РАН: 

Нет

Год: 

2010

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Физика

Вид издания: 

  • тезисы


h1