Зацепин Дмитрий Анатольевич

Коллекции:
Нет

h1

Библиография

Библиография

ФИЛЬТРЫ:

Публичные страницы Название Описание Вид издания Год Роли
Electronic structure and Х-ray and photoelectron spectra of highly-correlated transition metal oxides Electronic structure and Х-ray and photoelectron spectra of highly-correlated transition metal oxides / V. R. Galakhov, D. A. Zatsepin, N. A. Ovechkina, K. Z. Kurmaev // IV Bilateral Russian - German Symposium on "Physics and chemistry of novel materials" : Joint Program for scientific collaboration between Russian Academy of Sciences and Deutsche Forschungsgemeinschaft, February 24 - March 1, 1999, Ekaterinburg. - Ekaterinburg, 1999. - P. 4.8. тезисы 1999 Автор
Фазовые превращения в CuO при облучении ионами Не+ и под действием сферических ударных волн Фазовые превращения в CuO при облучении ионами Не+ и под действием сферических ударных волн / Б. А. Гижевский, В. Р. Галахов, Д. А. Зацепин [и др.] // Радиационная физика металлов и сплавов : четвертый Международный Уральский Семинар, 25 февраля - 3 марта 2001 г., Снежинск, Россия. - Снежинск, Россия, 2001. - С. 32-33. тезисы 2001 Автор
Люминесцентная дефектоскопия радиационных повреждений в ионно-имплантированных слоях SiO2 Люминесцентная дефектоскопия радиационных повреждений в ионно-имплантированных слоях SiO2 / С. В. Горбунов, Д. А. Зацепин, Э. З. Курмаев [и др.] // XVII Российская научно-техническая конференция с международным участием «Неразрушающий контроль и диагностика» : тезисы докладов, г. Екатеринбург, УГТУ-УПИ 5-11 сентября 2005 г. - Екатеринбург, 2005. - С. 172. тезисы 2005 Автор
Физические основы технологий микро- и наноэлектроники Зацепин Д. А. Физические основы технологий микро- и наноэлектроники : учебное пособие / Д. А. Зацепин, С. О. Чолах ; научный редактор Э. З. Курмаев ; Уральский государственный технический университет-УПИ, Российская академия наук, Институт физики металлов Уральского отделения РАН. - Екатеринбург, 2006. - 236 с. учебное издание 2006 Автор
Рентгеновские Si L2,3- эмиссионные спектры низкоразмерной гетеросистемы S/SiО2 после имплантации ионами Si+ Рентгеновские Si L2,3- эмиссионные спектры низкоразмерной гетеросистемы S/SiО2 после имплантации ионами Si+ / Е. А. Панин и др. // IX Молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества : тез. докл., Екатеринбург, 17-23 ноября 2008 г. / РАН, УрО, Ин-т физики металлов [и др.]. - Екатеринбург, 2008. - С. 109. тезисы 2008 Автор
Ионно-лучевое формирование буферного слоя в низкоразмерной гетеросистеме SiO / SiO2 при имплантации ионами Si+: рентгеновские Si L2,3 эмиссионные спектры Зацепин А. Д. Ионно-лучевое формирование буферного слоя в низкоразмерной гетеросистеме SiO / SiO2 при имплантации ионами Si+: рентгеновские Si L2,3 эмиссионные спектры / А. Д. Зацепин, S. Kaschieva, С. Н. Шамин // Третья всероссийская конференция по наноматериалам (НАНО 2009), Екатеринбург, 20-24 апреля 2009 г. : тез. докл. / РАН, УрО, Ин-т физики металлов [и др.]. - Екатеринбург, 2009. - С. 185-186. тезисы 2009 Автор
Строки с 1 по 6 из 6