Анализ распределений площадей захвата 2D-островков Ge на поверхности Si(111)-(7×7), зародившихся при повышенных температурах роста / А. С. Петров, А. А. Макеева, Д. И. Рогило [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : тезисы докладов, Нижний Новгород, 10–14 марта 2025 года. – Нижний Новгород, 2025. – С. 466.