Латышев Александр Васильевич директор ИФП СО РАН, академик РАН, д.ф.-м.н., профессор.
Родился 4 января 1959 г. В 1981 г. окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика». В 1998 году защитил докторскую диссертацию «Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов». В 2008 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «нанодиагностика»). Специалист в области синтеза пленочных и наноразмерных полупроводниковых структур из молекулярных пучков, полупроводниковых нанотехнологий для нового поколения элементной базы наноэлектроники и структурной диагностики низкоразмерных систем, автор и соавтор 172 научных работ, из них 2 монографии, отдельные главы в 6 монографиях и 6 патентов.
Основные научные труды А.В.Латышева связаны c изучением механизмов атомных процессов на поверхности и границах раздела при формировании полупроводниковых систем пониженной размерности. Под его руководством осуществляется комплексная метрологическая, диагностическая и технологическая поддержка многочисленных исследования в области нанотехнологий методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии и др. методов на базе центра коллективного пользования «Наноструктуры». Полученные результаты обеспечили создание нового поколения полупроводниковых приборов, таких как нанотранзисторы и одноэлектронные транзисторы, фотоприемные устройства на квантовых эффектах. Латышевым А.В. с сотрудниками ведутся работы по развитию имеющихся и созданию новых методов нанолитографии, как остросфокусированным электронным и ионными пучками, так и с применением сканирующих зондовых микроскопов.
А.В. Латышев начал свою научную деятельность в 1981г. в должности стажера–исследователя в ИФП СО РАН, с 1998 года является заведующим лаборатории нанодиагностики и нанолитографии и с 2007 года назначен заместителем директора по научным вопросам. С 2013 года является директором ИФП СО РАН.
А.В. Латышев является заведующим кафедрой физики полупроводников Новосибирского государственного университета, входит в состав научно-образовательного комплекса «Наносистемы и современные материалы», руководитель Научно-образовательного центра «Физика конденсированных сред и физического материаловедения» на базе которых проводятся научные исследования и осуществляется подготовка специалистов и кадров высшей квалификации в области систем пониженной размерности, член специализированных советов по защитам кандидатских и докторских диссертаций в ИФП СО РАН и НГТУ, член редколлегий журналов «Surface Science and Nanotechnology», «Наука из первых рук» и «Вестник НГУ» (серия Физика), член Научного Совета международной школы по материаловедению и электронной микроскопии (г.Берлин).
А.В. Латышев – заместитель председателя Объединенного ученого совета по нанотехнологиям и информационным технологиям, соруководитель научной школы «Атомные процессы и технологии создания низкоразмерных полупроводниковых систем», член приборной комиссии СО РАН, член технического комитета по стандартизации (ТК 441 «Нанотехнологии»), член Научно-технического совета при Министерстве социального развития Новосибирской области, член экспертных советов РФФИ, Министерства образования и науки и ГК «Роснанано».
Под его руководством выполнялись международные контракты с фирмами Самсунг (Ю.Корея), «Мозаик кристалл» и «Наногейт» (Израиль), «AGM» (Германия) и другими, а также с рядом университетов (Германии, Франции, Японии, США, Болгарии и др.)
Награды: награжден почетными грамотами РАН, Министерства образования и науки РФ, Президиума СО РАН и Президиума РАН, Фонда содействия отечественной науке.
Лауреат Демидовской премии 2025 года.

Латышев Александр Васильевич // Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. URL: https://www.isp.nsc.ru/obrazovanie/aspirantura/obuchenie-v-aspiranture/2... (дата обращения: 05.02.2026).