Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение / Д. Е. Дураков, А. С. Петров, Д. И. Рогило [и др.]. – DOI 10.61011/FTP.2025.02.60984.8241 // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 2. – С. 102-108.