Рогило Дмитрий Игоревич


h1

Библиография

Библиография

ФИЛЬТРЫ:

Публичные страницы Название Описание Вид издания Год Роли
Анализ распределений площадей захвата 2D-островков Ge на поверхности Si(111)-(7×7), зародившихся при повышенных температурах роста Анализ распределений площадей захвата 2D-островков Ge на поверхности Si(111)-(7×7), зародившихся при повышенных температурах роста / А. С. Петров, А. А. Макеева, Д. И. Рогило [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : тезисы докладов, Нижний Новгород, 10–14 марта 2025 года. – Нижний Новгород, 2025. – С. 466. тезисы 2025 Автор
Высокотемпературная адсорбция индия на поверхность Bi2Se3(0001) Высокотемпературная адсорбция индия на поверхность Bi2Se3(0001) / С. А. Пономарев, Д. И. Рогило, В. А. Голяшов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : тезисы докладов, Нижний Новгород, 10–14 марта 2025 года. – Нижний Новгород, 2025. – С. 473. тезисы 2025 Автор
Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение / Д. Е. Дураков, А. С. Петров, Д. И. Рогило [и др.]. – DOI 10.61011/FTP.2025.02.60984.8241 // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 2. – С. 102-108. статья из журнала 2025 Автор
Низкотемпературная адсорбция индия на поверхность Bi2Se3(0001) Низкотемпературная адсорбция индия на поверхность Bi2Se3(0001) / С. А. Пономарев, Д. И. Рогило, В. А. Голяшов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : тезисы докладов, Нижний Новгород, 10–14 марта 2025 года. – Нижний Новгород, 2025. – С. 365. тезисы 2025 Автор
Структурные и морфологические изменения подложек SiC при резистивном отжиге Структурные и морфологические изменения подложек SiC при резистивном отжиге / Д. Е. Дураков, А. С. Петров, Д. И. Рогило [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : тезисы докладов, Нижний Новгород, 10–14 марта 2025 года. – Нижний Новгород, 2025. – С. 289. тезисы 2025 Автор
Строки с 1 по 5 из 5